晶体生长手册4蒸发及外延法晶体生长技术(英文) 哈尔滨工业大学出版社【新华书店正版图书书籍】 免费 下载 115盘 pdf txt mobi caj lit

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晶体生长手册4蒸发及外延法晶体生长技术(英文) 哈尔滨工业大学出版社【新华书店正版图书书籍】书籍详细信息

  • ISBN:9787560338699
  • 作者:暂无作者
  • 出版社:暂无出版社
  • 出版时间:2013-01
  • 页数:417
  • 价格:61.00
  • 纸张:书写纸
  • 装帧:平装
  • 开本:16开
  • 语言:未知
  • 丛书:暂无丛书
  • TAG:暂无
  • 豆瓣评分:暂无豆瓣评分
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内容简介:

%26nbsp;%26nbsp;%26nbsp;%26nbsp;《springer手册精选系列·晶体生长手册(第4册):蒸发及外延法晶体生长技术(影印版)》的主题是气相生长。这一部分提


书籍目录:

缩略语PartD 晶体的气相生长23 SiC晶体的生长与表征23.1 SiC-背景与历史23.2 气相生长23.3 高温溶液生长23.4 籽晶升华的产业化体材料生长23.5 结构缺陷及其构造23.6


作者介绍:

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出版社信息:

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书籍摘录:

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原文赏析:

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其它内容:

书籍介绍

《晶体生长手册4:蒸发及外延法晶体生长技术(影印版)》的主题是气相生长。这一部分提供了碳化硅、氮化镓、氮化铝和有机半导体的气相生长的内容。随后的PartE是关于外延生长和薄膜的,主要包括从液相的化学气相淀积到脉冲激光和脉冲电子淀积。


书籍真实打分

  • 故事情节:4分

  • 人物塑造:9分

  • 主题深度:8分

  • 文字风格:4分

  • 语言运用:9分

  • 文笔流畅:9分

  • 思想传递:6分

  • 知识深度:6分

  • 知识广度:3分

  • 实用性:5分

  • 章节划分:5分

  • 结构布局:5分

  • 新颖与独特:5分

  • 情感共鸣:8分

  • 引人入胜:3分

  • 现实相关:9分

  • 沉浸感:8分

  • 事实准确性:6分

  • 文化贡献:3分


网站评分

  • 书籍多样性:6分

  • 书籍信息完全性:7分

  • 网站更新速度:8分

  • 使用便利性:8分

  • 书籍清晰度:3分

  • 书籍格式兼容性:9分

  • 是否包含广告:5分

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  • 安全性:5分

  • 稳定性:7分

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下载点评

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下载评价

  • 网友 方***旋:

    真的很好,里面很多小说都能搜到,但就是收费的太多了

  • 网友 扈***洁:

    还不错啊,挺好

  • 网友 常***翠:

    哈哈哈哈哈哈

  • 网友 相***儿:

    你要的这里都能找到哦!!!

  • 网友 谢***灵:

    推荐,啥格式都有

  • 网友 孙***美:

    加油!支持一下!不错,好用。大家可以去试一下哦

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    不错,用着很方便

  • 网友 孙***夏:

    中评,比上不足比下有余

  • 网友 石***烟:

    还可以吧,毕竟也是要成本的,付费应该的,更何况下载速度还挺快的

  • 网友 习***蓉:

    品相完美

  • 网友 谭***然:

    如果不要钱就好了


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